固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。无需在隔离侧使用单独的电源，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以创建定制的 SSR。还需要散热和足够的气流。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以满足各种应用和作环境的特定需求。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。模块化部分和接收器或解调器部分。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。每个部分包含一个线圈，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。从而实现高功率和高压SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。航空航天和医疗系统。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，以及工业和军事应用。在MOSFET关断期间，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

此外，可用于创建自定义 SSR。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。